目前UV紫外線(xiàn)燈的高端應(yīng)用應(yīng)該數(shù)芯片制造領(lǐng)域了。芯片制造中不得不提的基礎(chǔ)原材料是晶圓，在晶圓上經(jīng)過(guò)光刻機(jī)光刻電路結(jié)構(gòu)和蝕刻后，再經(jīng)過(guò)切割、封裝、測(cè)試成為芯片然后被應(yīng)用各類(lèi)電子產(chǎn)品和汽車(chē)工業(yè)中。在晶圓加工過(guò)程中還涉及到重要的一環(huán)就是晶圓信息光擦除。今天就由TANK007紫外線(xiàn)燈廠(chǎng)家為大伙介紹UV紫外線(xiàn)燈在晶圓信息擦除中的應(yīng)用。

紫外線(xiàn)燈用于擦除晶圓信息的原理
在晶圓上寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通常的做法是在柵極兩端加上高電壓并注入電荷。但由于注入柵極的電荷不具備穿透硅氧化膜，因此，必須借用特殊波長(zhǎng)的紫外線(xiàn)給予電荷一定的能量來(lái)改變其現(xiàn)狀。當(dāng)浮置柵在UV紫外線(xiàn)燈發(fā)出的特定波長(zhǎng)紫外線(xiàn)輻射時(shí)，由于柵極中的電荷吸收紫外線(xiàn)能量后能夠賦予電荷變成足以穿透硅氧化膜的熱電子并驅(qū)使熱電荷流向基板和柵極從而具備擦除信息功能。在整個(gè)擦除過(guò)程中，目前只有借助特殊波長(zhǎng)的紫外線(xiàn)燈來(lái)完成。由此可見(jiàn)晶圓信息擦除中紫外線(xiàn)燈的重要性。

什么波段的紫外線(xiàn)燈、需要多強(qiáng)的紫外線(xiàn)強(qiáng)度才符合晶圓信息擦除？
眾所周知，紫外線(xiàn)波長(zhǎng)越短則紫外強(qiáng)度越大，因此要使晶圓柵極中的電子變?yōu)榛钴S的且有足夠能量穿透硅氧化膜的電子就需要短波紫外線(xiàn)輻射。當(dāng)然除了需要能夠輻射出短波紫外線(xiàn)的紫外線(xiàn)燈具外還需要確保紫外線(xiàn)的劑量。晶圓信息擦除所需的精準(zhǔn)紫外線(xiàn)波長(zhǎng)為 253.7nm ，紫外強(qiáng)度在16000 μ W /cm²以上并保持 30 分鐘至3小時(shí)不等的照射才能完成晶圓信息的擦除操作。